RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL8G26C16U4W.8FD 8GB
Comparez
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB vs Crucial Technology BL8G26C16U4W.8FD 8GB
Note globale
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Note globale
Crucial Technology BL8G26C16U4W.8FD 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Crucial Technology BL8G26C16U4W.8FD 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
29
37
Autour de -28% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.2
13.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.0
8.4
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
10600
Autour de 2.01 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL8G26C16U4W.8FD 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
37
29
Vitesse de lecture, GB/s
13.2
16.2
Vitesse d'écriture, GB/s
8.4
13.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
21300
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2143
3221
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB Comparaison des RAM
Ramaxel Technology RMR1870EC58E9F1333 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
Crucial Technology BL8G26C16U4W.8FD 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Apacer Technology GD2.1527WE.001 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDD1 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMW16GX4M1Z3600C18 16GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FBD 4GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Mushkin MR[A/B]4U280HHHH8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FD 4GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30CESTK.8FD 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-UH 4GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Crucial Technology CT32G4DFD832A.M16FB 32GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4WL.M8FE1 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE1 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FJ 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
V-GEN D4R8GL24A8R 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston CBD32D4S2D8HD-16 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link