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Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FD 8GB
Comparez
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB vs Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FD 8GB
Note globale
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Note globale
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FD 8GB
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Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
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Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FD 8GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
25
37
Autour de -48% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
14.1
13.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.7
8.4
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
10600
Autour de 1.81 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FD 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
37
25
Vitesse de lecture, GB/s
13.2
14.1
Vitesse d'écriture, GB/s
8.4
8.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
19200
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2143
2372
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
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Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FHD1 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
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V-Color Technology Inc. TL48G32S8KSRGB16 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Corsair CMK16GX4M2Z3466C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
AMD R744G2400U1S-UO 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FB 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Corsair CMK128GX4M4D3600C18 32GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Kingston MSISID4S9S8ME-8 8GB
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