RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESCK.M8FE 8GB
Comparez
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB vs Crucial Technology BLS8G4D30AESCK.M8FE 8GB
Note globale
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Note globale
Crucial Technology BLS8G4D30AESCK.M8FE 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Crucial Technology BLS8G4D30AESCK.M8FE 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
37
Autour de -37% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
18.1
13.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.3
8.4
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
10600
Autour de 1.81 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESCK.M8FE 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
37
27
Vitesse de lecture, GB/s
13.2
18.1
Vitesse d'écriture, GB/s
8.4
14.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
19200
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2143
3418
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB Comparaison des RAM
Ramaxel Technology RMR1870EC58E9F1333 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESCK.M8FE 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRS 32GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
DSL Memory D4SH1G081SH26A-C 8GB
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FD 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology BL8G26C16S4B.8FD 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTZRC 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FN 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMK8GX4M1A2666C16 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Ramsta Ramsta-2400Mhz-4G 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-VK 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Crucial Technology BLT8G4D30AET4K.M8FE1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
G Skill Intl F4-3400C16-8GVK 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link