RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FD 8GB
Comparez
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB vs Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FD 8GB
Note globale
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Note globale
Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FD 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FD 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
29
37
Autour de -28% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.9
13.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.4
8.4
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
10600
Autour de 1.81 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FD 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
37
29
Vitesse de lecture, GB/s
13.2
17.9
Vitesse d'écriture, GB/s
8.4
13.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
19200
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2143
3311
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB Comparaison des RAM
Ramaxel Technology RMR1870EC58E9F1333 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FD 8GB Comparaison des RAM
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Maxsun MSD48G30Q3 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
DSL Memory D4SS12081SH21A-A 4GB
Kingston KF552C40-16 16GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMK16GX4M4A2133C15 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 16GB 16G
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4000 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
SK Hynix HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C16 Series 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVKC 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Apacer Technology 78.CAGQ7.ARC0B 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Asgard VMA41UF-MEC1U2BQ2 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link