RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE 8GB
Comparez
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB vs Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE 8GB
Note globale
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Note globale
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
30
37
Autour de -23% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.4
13.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.4
8.4
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
10600
Autour de 1.81 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
37
30
Vitesse de lecture, GB/s
13.2
17.4
Vitesse d'écriture, GB/s
8.4
14.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
19200
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2143
3327
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB Comparaison des RAM
Ramaxel Technology RMR1870EC58E9F1333 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMW64GX4M4Z2933C16 16GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-2133 4GB
Micron Technology 16JTF1G64AZ-1G6E1 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S816KRGB 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8C-RD 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXK 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRS 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Corsair CMH16GX4M2D3600C18 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRSB 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Kingston KHX3600C17D4/8GX 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link