RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB
Comparez
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB vs Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB
Note globale
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Note globale
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
24
37
Autour de -54% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17
13.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.7
8.4
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
10600
Autour de 2.01 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
37
24
Vitesse de lecture, GB/s
13.2
17.0
Vitesse d'écriture, GB/s
8.4
13.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
21300
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2143
3230
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB Comparaison des RAM
Ramaxel Technology RMR1870EC58E9F1333 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FADP 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBR 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160U 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Samsung M378A1K43BB1-CTD 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMK32GX4M4D3000C16 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-DA---------- 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMD16GX4M2E4000C19 8GB
Kingston 9965525-054.A00LF 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022R432GX2-3600C18A 32GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FD1 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZN 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Kllisre M471A1K43CB1-CTD 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6J1 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Corsair CMD32GX4M4B3200C16 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link