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Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FB 4GB
Comparez
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB vs Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FB 4GB
Note globale
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Note globale
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FB 4GB
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Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
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Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FB 4GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
22
37
Autour de -68% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17
13.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.2
8.4
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
10600
Autour de 1.81 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FB 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
37
22
Vitesse de lecture, GB/s
13.2
17.0
Vitesse d'écriture, GB/s
8.4
12.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
19200
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2143
2646
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Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FB 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Kingston 9905665-017.A00G 4GB
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Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB
Kingston 99U5471-025.A00LF 4GB
A-DATA Technology AO2P32NCST2-BZ7SHD 16GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Avexir Technologies Corporation T 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-16GVR 16GB
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