RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Essencore Limited KD4AGS88C-26N1900 16GB
Comparez
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB vs Essencore Limited KD4AGS88C-26N1900 16GB
Note globale
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Note globale
Essencore Limited KD4AGS88C-26N1900 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Essencore Limited KD4AGS88C-26N1900 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
36
37
Autour de -3% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.8
13.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.2
8.4
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
10600
Autour de 2.01 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Essencore Limited KD4AGS88C-26N1900 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
37
36
Vitesse de lecture, GB/s
13.2
15.8
Vitesse d'écriture, GB/s
8.4
13.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
21300
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2143
3027
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB Comparaison des RAM
Ramaxel Technology RMR1870EC58E9F1333 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
Essencore Limited KD4AGS88C-26N1900 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FADP 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905622-051.A00G 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
AMD R948G2806U2S 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston 9905663-005.A00G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Apacer Technology 78.BAGM6.40C0B 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZ 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Essencore Limited KD4AGS88C-26N1900 16GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2J1 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CM4X4GF2400Z16K4 4GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6MFR8N
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston XRMWRN-HYA 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BPGS 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link