RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GRS 16GB
Comparez
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB vs G Skill Intl F4-3000C16-16GRS 16GB
Note globale
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Note globale
G Skill Intl F4-3000C16-16GRS 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3000C16-16GRS 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
31
37
Autour de -19% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.7
13.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.7
8.4
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
10600
Autour de 1.81 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GRS 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
37
31
Vitesse de lecture, GB/s
13.2
17.7
Vitesse d'écriture, GB/s
8.4
14.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
19200
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2143
3482
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB Comparaison des RAM
Ramaxel Technology RMR1870EC58E9F1333 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GRS 16GB Comparaison des RAM
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GRK 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GRS 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Samsung M47472K43DB1-CTD 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CMW64GX4M4A2666C16 16GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCIK 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMSX32GX4M2A2666C18 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E85-2666E 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston 99U5701-003.A00G 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2J1 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
V-GEN D4R8GL24A8R 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link