RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXFB 8GB
Comparez
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GSXFB 8GB
Note globale
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Note globale
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXFB 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXFB 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
37
Autour de -42% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
18
13.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.9
8.4
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXFB 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
37
26
Vitesse de lecture, GB/s
13.2
18.0
Vitesse d'écriture, GB/s
8.4
13.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2143
3417
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB Comparaison des RAM
Ramaxel Technology RMR1870EC58E9F1333 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXFB 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E2 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXFB 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FJ 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Corsair CMD16GX4M2B3000C15 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Corsair CMD16GX4M2B3200C14 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMK16GX4M2A2666C16 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FD 16GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Corsair CM4X8GF2400C14K4 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260MD78HAF-2666 8GB
SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB
Kingston KHX4266C19D4/8GX 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FE 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FE 8GB
Corsair VS2GB1333D4 2GB
Corsair CMWX8GD3600C18W4 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link