RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTESC 8GB
Comparez
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB vs G Skill Intl F4-3600C16-8GTESC 8GB
Note globale
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Note globale
G Skill Intl F4-3600C16-8GTESC 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3600C16-8GTESC 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
31
37
Autour de -19% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
20.3
13.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
18.2
8.4
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTESC 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
37
31
Vitesse de lecture, GB/s
13.2
20.3
Vitesse d'écriture, GB/s
8.4
18.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2143
3738
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB Comparaison des RAM
Ramaxel Technology RMR1870EC58E9F1333 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTESC 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston ACR21D4S15HAG/8G 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRGC 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston HP24D4S7S8MBP-8 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVK 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZ 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVK 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Kingston KHX2133C14D4/8G 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M4FF 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M8FR 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FADP 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Corsair CMD16GX4M4B2400C10 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1A1 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Samsung M47472K43DB1-CTD 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link