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Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9905702-119.A00G 8GB
Comparez
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB vs Kingston 9905702-119.A00G 8GB
Note globale
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Note globale
Kingston 9905702-119.A00G 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
37
38
Autour de 3% latence réduite
Raisons de considérer
Kingston 9905702-119.A00G 8GB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.2
8.4
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
10600
Autour de 1.81 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9905702-119.A00G 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
37
38
Vitesse de lecture, GB/s
13.2
13.2
Vitesse d'écriture, GB/s
8.4
9.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
19200
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2143
2530
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB Comparaison des RAM
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Kingston 9905702-119.A00G 8GB Comparaison des RAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Mushkin MR[A/B]4U280HHHH8G 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
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V-Color Technology Inc. TA48G36S818BN 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
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Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZ 16GB
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