RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Lexar Co Limited LD4AU008G-H3200GST 8GB
Comparez
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB vs Lexar Co Limited LD4AU008G-H3200GST 8GB
Note globale
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Note globale
Lexar Co Limited LD4AU008G-H3200GST 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Lexar Co Limited LD4AU008G-H3200GST 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
34
37
Autour de -9% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
19.9
13.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.9
8.4
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
10600
Autour de 2.42 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Lexar Co Limited LD4AU008G-H3200GST 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
37
34
Vitesse de lecture, GB/s
13.2
19.9
Vitesse d'écriture, GB/s
8.4
13.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
25600
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2143
3271
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB Comparaison des RAM
Ramaxel Technology RMR1870EC58E9F1333 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
Lexar Co Limited LD4AU008G-H3200GST 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Lexar Co Limited LD4AU008G-H3200GST 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FDR1 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.8FE 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Kingston KF3200C18D4/8G 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CM4X16GE2400C16S4 16GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Corsair CMT32GX4M2C3466C16 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GVK 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Corsair CMK8GX4M1D2400C14 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Avant Technology W6451U66J9266ND 4GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Corsair CM4X8GD3600C18K2D 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Kingston KV0M5R-HYD 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link