RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Comparez
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB vs Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Note globale
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Note globale
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
37
68
Autour de 46% latence réduite
Raisons de considérer
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.9
13.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.9
8.4
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
10600
Autour de 1.81 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
37
68
Vitesse de lecture, GB/s
13.2
16.9
Vitesse d'écriture, GB/s
8.4
8.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
19200
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2143
2007
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB Comparaison des RAM
Ramaxel Technology RMR1870EC58E9F1333 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 99U5701-049.A00G 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMW16GX4M2C3466C16 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Samsung M391A2K43BB1-CTD 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZR 8GB
Kingston 9905474-019.A00LF 2GB
Kingston ACR26D4S9S1KA-4 4GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
A-DATA Technology 11137401 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
AMD R748G2133U2S 8GB
Mushkin 991586 2GB
Kingston 99U5723-002.A00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMR64GX4M4C3200C16 16GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Corsair CMD32GX4M4A2666C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRG 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Kingston ACR26D4S9S1ME-4 4GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Kingston KHX21334D4/8G 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link