RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Transcend Information TS2GLH64V4B 16GB
Comparez
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB vs Transcend Information TS2GLH64V4B 16GB
Note globale
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Note globale
Transcend Information TS2GLH64V4B 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.4
7.9
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Transcend Information TS2GLH64V4B 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
34
37
Autour de -9% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
14.2
13.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
10600
Autour de 1.81 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Transcend Information TS2GLH64V4B 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
37
34
Vitesse de lecture, GB/s
13.2
14.2
Vitesse d'écriture, GB/s
8.4
7.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
19200
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2143
2565
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB Comparaison des RAM
Ramaxel Technology RMR1870EC58E9F1333 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
Transcend Information TS2GLH64V4B 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GVK 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTZB 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FN 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FE 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G1A1 32GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD1 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4R.M8FE1 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
G Skill Intl F4-2933C16-8GTZRX 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Apacer Technology 78.DAGP2.4030B 16GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
MemxPro Inc. D4S8GHIOFFC 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link