RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Apacer Technology 78.CAGN4.4020B 8GB
Comparez
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB vs Apacer Technology 78.CAGN4.4020B 8GB
Note globale
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Note globale
Apacer Technology 78.CAGN4.4020B 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Apacer Technology 78.CAGN4.4020B 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
17
41
Autour de -141% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
21.7
13.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
17.3
8.3
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
10600
Autour de 1.81 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Apacer Technology 78.CAGN4.4020B 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
41
17
Vitesse de lecture, GB/s
13.3
21.7
Vitesse d'écriture, GB/s
8.3
17.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
19200
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2176
3814
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB Comparaison des RAM
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBXL 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C20 Series 8GB
Apacer Technology 78.CAGN4.4020B 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Transcend Information TS2GLH64V4B 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMD16GX4M2B2800C14 8GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Apacer Technology 78.CAGN4.4020B 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Transcend Information JM2666HLB-8G 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD10240
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FAD 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
SK Hynix HMA82GU6MFR8N-TF 16GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Essencore Limited KD48GS88J-26N1900 8GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213381 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZN 32GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology BL32G36C16U4BL.M16FB 32GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Corsair CMK32GX4M4B3733C17 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston XK2M26-MIE-NX 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link