RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FBD 8GB
Comparez
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB vs Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FBD 8GB
Note globale
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Note globale
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FBD 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FBD 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
41
Autour de -46% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.2
13.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.4
8.3
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
10600
Autour de 1.81 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FBD 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
41
28
Vitesse de lecture, GB/s
13.3
16.2
Vitesse d'écriture, GB/s
8.3
12.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
19200
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2176
3305
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB Comparaison des RAM
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBXL 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C20 Series 8GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FBD 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
ADVAN Inc AM42E28UD04T-NVL 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Apacer Technology 78.C1GS7.AUW0B 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
ISD Technology Limited IM48GU48N21-FFFHM 8GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160U 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBR1 8GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Neo Forza NMUD416E82-3600 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Kingston MSI24D4U7D8MH-16 16GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link