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Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
Comparez
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB vs Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
Note globale
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Note globale
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
41
54
Autour de 24% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
13.3
10.4
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.3
8.2
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
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Bande passante mémoire plus élevée, mbps
23400
10600
Autour de 2.21 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
41
54
Vitesse de lecture, GB/s
13.3
10.4
Vitesse d'écriture, GB/s
8.3
8.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
23400
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 26
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2176
2259
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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