RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB
Comparez
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB vs Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB
Note globale
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Note globale
Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
24
41
Autour de -71% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.7
13.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.8
8.3
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
10600
Autour de 2.01 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
41
24
Vitesse de lecture, GB/s
13.3
15.7
Vitesse d'écriture, GB/s
8.3
12.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
21300
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2176
2865
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB Comparaison des RAM
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBXL 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C20 Series 8GB
Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMV16GX4M1A2400C16 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
Mushkin 991586 2GB
Kingston KHX2666C15/8G 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GVR 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Crucial Technology BLE16G4D32AEEA.K16FB 16GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Mushkin 99[2/7/4]183 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C18 Series 32GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Ramaxel Technology RMUA5120ME86H9F-2666 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11?? 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CM4B8G1J2400A16K2-ON 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Heoriady HX2666CX15D4/4G 4GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Essencore Limited IM48GU48N21-FFFHM 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link