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Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB

Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB vs SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB

Note globale
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Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB

Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB

Note globale
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SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB

SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB

Différences Spécifications Commentaires

Différences

Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB Raisons de considérer
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
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  • En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
    41 left arrow 42
    Autour de 2% latence réduite
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB Raisons de considérer
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
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  • Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
    13.7 left arrow 13.3
    Valeur moyenne dans les tests

Spécifications

Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Principales caractéristiques
  • Type de mémoire
    DDR3 left arrow DDR3
  • Latence dans PassMark, ns
    41 left arrow 42
  • Vitesse de lecture, GB/s
    13.3 left arrow 13.7
  • Vitesse d'écriture, GB/s
    8.3 left arrow 8.3
  • Largeur de bande de la mémoire, mbps
    10600 left arrow 10600
Other
  • Description
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10
  • Timings / Vitesse d'horloge
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 7-7-7-20 / 1333 MHz
  • Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
    2176 left arrow 2152

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