RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FHP 8GB
Comparez
Samsung M378B5273EB0-CK0 4GB vs Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FHP 8GB
Note globale
Samsung M378B5273EB0-CK0 4GB
Note globale
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FHP 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M378B5273EB0-CK0 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
37
51
Autour de 27% latence réduite
Raisons de considérer
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FHP 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.7
14.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.4
9.6
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FHP 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
37
51
Vitesse de lecture, GB/s
14.6
15.7
Vitesse d'écriture, GB/s
9.6
10.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2409
2597
Samsung M378B5273EB0-CK0 4GB Comparaison des RAM
Kingston KVR24N17S8/4 4GB
Samsung M378A5244BB0-CRC 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FHP 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M378B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FHP 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3400 C16 Series 8GB
Kingston 99U5403-050.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MJ-32AA 16GB
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTRGB 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160X 16GB
Nanya Technology M2F2G64CB88B7N-CG 2GB
Samsung M471A1K43CBCBCRC 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FD 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6H1 32GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd CL-W262-CA00SW-A 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Ramaxel Technology RMR5030MM58E8F1600 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTXG 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Wilk Elektronik S.A. GX2426D464S/8GSBS2 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Kingston 9905743-034.A00G 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link