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Samsung M378B5273EB0-CK0 4GB
SK Hynix HMT451U6AFR8C-PB 4GB
Comparez
Samsung M378B5273EB0-CK0 4GB vs SK Hynix HMT451U6AFR8C-PB 4GB
Note globale
Samsung M378B5273EB0-CK0 4GB
Note globale
SK Hynix HMT451U6AFR8C-PB 4GB
Différences
Spécifications
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Différences
Raisons de considérer
Samsung M378B5273EB0-CK0 4GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
37
43
Autour de 14% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
14.6
13.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.6
8.1
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
SK Hynix HMT451U6AFR8C-PB 4GB
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Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378B5273EB0-CK0 4GB
SK Hynix HMT451U6AFR8C-PB 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR3
Latence dans PassMark, ns
37
43
Vitesse de lecture, GB/s
14.6
13.6
Vitesse d'écriture, GB/s
9.6
8.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
12800
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2409
2169
Samsung M378B5273EB0-CK0 4GB Comparaison des RAM
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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