RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
A-DATA Technology AE4S240038G17-BHYA 8GB
Comparez
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs A-DATA Technology AE4S240038G17-BHYA 8GB
Note globale
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Note globale
A-DATA Technology AE4S240038G17-BHYA 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
38
Autour de 26% latence réduite
Raisons de considérer
A-DATA Technology AE4S240038G17-BHYA 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
14.2
12.7
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.7
7.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
8500
Autour de 2.26 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
A-DATA Technology AE4S240038G17-BHYA 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
28
38
Vitesse de lecture, GB/s
12.7
14.2
Vitesse d'écriture, GB/s
7.5
10.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
8500
19200
Other
Description
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1988
2429
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Comparaison des RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
A-DATA Technology AE4S240038G17-BHYA 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4400G 16GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Corsair CMWX16GC3200C16W2E 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
A-DATA Technology AE4S240038G17-BHYA 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Avant Technology J642GU42J7240NF 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Essencore Limited IM48GU48N28-GGGHM 8GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GFX 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3B1 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
AMD R748G2133U2S 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSK 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2933 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CMD32GX4M2B3000C15 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston XRGM6C-MIE 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
SK Hynix HMAA2GU6AJR8N-XN 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link