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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Avant Technology W6451U48J7240N6 4GB
Comparez
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Avant Technology W6451U48J7240N6 4GB
Note globale
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Note globale
Avant Technology W6451U48J7240N6 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
75
Autour de 63% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
7.5
6.4
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Avant Technology W6451U48J7240N6 4GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
14.7
12.7
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
8500
Autour de 2.26 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Avant Technology W6451U48J7240N6 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
28
75
Vitesse de lecture, GB/s
12.7
14.7
Vitesse d'écriture, GB/s
7.5
6.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
8500
19200
Other
Description
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1988
1590
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Comparaison des RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Avant Technology W6451U48J7240N6 4GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
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Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSW 16GB
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