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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CM4X16GE2666C16K2 16GB
Comparez
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Corsair CM4X16GE2666C16K2 16GB
Note globale
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Note globale
Corsair CM4X16GE2666C16K2 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
54
Autour de 48% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
12.7
10.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
7.5
6.1
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Corsair CM4X16GE2666C16K2 16GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
8500
Autour de 2 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CM4X16GE2666C16K2 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
28
54
Vitesse de lecture, GB/s
12.7
10.6
Vitesse d'écriture, GB/s
7.5
6.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
8500
17000
Other
Description
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1988
2091
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.8FE 8GB
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Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
V-Color Technology Inc. TN48G24S817-VHA/R 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMR32GX4M4C3600C18 8GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FF 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TF 16GB
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