RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMD32GX4M2C3200C14M 16GB
Comparez
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Corsair CMD32GX4M2C3200C14M 16GB
Note globale
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Note globale
Corsair CMD32GX4M2C3200C14M 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Corsair CMD32GX4M2C3200C14M 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
18
28
Autour de -56% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
21.3
12.7
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
16.9
7.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
8500
Autour de 2 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMD32GX4M2C3200C14M 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
28
18
Vitesse de lecture, GB/s
12.7
21.3
Vitesse d'écriture, GB/s
7.5
16.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
8500
17000
Other
Description
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1988
3836
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Comparaison des RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Corsair CMD32GX4M2C3200C14M 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160UD102408-2666 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Golden Empire CL14-16-16 D4-2400 16GB
Elpida EBJ41UF8BDW0-GN-F 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FA 16GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD2 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMD32GX4M2C3200C14M 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Crucial Technology BL16G30C15U4B.16FE 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESB.M16FE 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Apacer Technology 78.C1GMW.AUC0B 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3300C16 4GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Corsair CMD64GX4M4C3200C16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDD1 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 8GB 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Essencore Limited KD48GS481-26N1600 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link