RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M8FB1 16GB
Comparez
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M8FB1 16GB
Note globale
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Note globale
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M8FB1 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M8FB1 16GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
20
12.7
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
16.4
7.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
8500
Autour de 2.51 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M8FB1 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
28
28
Vitesse de lecture, GB/s
12.7
20.0
Vitesse d'écriture, GB/s
7.5
16.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
8500
21300
Other
Description
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1988
3925
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Comparaison des RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M8FB1 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2B1 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M8FB1 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FN 16GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48ME-26V 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FD 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXKB 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVS 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZSW 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Transcend Information TS2GLH64V6B 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston ACR26D4S9D8MD-16 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston KCDT82-MIE 4GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G32002 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link