RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BLE8G4D40BEEAK.M8FE1 8GB
Comparez
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Crucial Technology BLE8G4D40BEEAK.M8FE1 8GB
Note globale
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Note globale
Crucial Technology BLE8G4D40BEEAK.M8FE1 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Crucial Technology BLE8G4D40BEEAK.M8FE1 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
28
Autour de -8% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
18.4
12.7
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
16.4
7.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
8500
Autour de 2.51 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BLE8G4D40BEEAK.M8FE1 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
28
26
Vitesse de lecture, GB/s
12.7
18.4
Vitesse d'écriture, GB/s
7.5
16.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
8500
21300
Other
Description
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1988
3825
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Comparaison des RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Crucial Technology BLE8G4D40BEEAK.M8FE1 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CMD32GX4M4B3733C17 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston MSI24D4U7D8MD-16 16GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Kingston KHX3000C15/16GX 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 8GB 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston KHX2400C14S4/8G 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-GR26C16S8K2HU416 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-TF 32GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston KTD3KX-HYA 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FBD 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHA0 8GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Corsair CMT32GX4M4Z3200C16 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston KHX3200C16D4/32GX 32GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link