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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FD 16GB
Comparez
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FD 16GB
Note globale
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Note globale
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FD 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
33
Autour de 15% latence réduite
Raisons de considérer
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FD 16GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.7
12.7
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.8
7.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
8500
Autour de 2.51 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FD 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
28
33
Vitesse de lecture, GB/s
12.7
16.7
Vitesse d'écriture, GB/s
7.5
11.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
8500
21300
Other
Description
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1988
3107
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Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FD 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB
Corsair CMK16GX4M2D2666C16 8GB
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G Skill Intl F4-3333C16-16GVR 16GB
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Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FD 8GB
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