RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBR2 4GB
Comparez
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBR2 4GB
Note globale
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Note globale
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBR2 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
67
Autour de 58% latence réduite
Raisons de considérer
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBR2 4GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.9
12.7
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.4
7.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
8500
Autour de 2.51 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBR2 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
28
67
Vitesse de lecture, GB/s
12.7
15.9
Vitesse d'écriture, GB/s
7.5
8.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
8500
21300
Other
Description
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1988
1895
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Comparaison des RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBR2 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MA-24R 8GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8ET 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMK32GX4M2C3200C18 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4G
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Samsung SH5724G4UNC26P2-SC 32GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GVK 32GB
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE3 8GB
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE1 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Kingston KTP9W1-MIE 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FD 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRG 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRKWK 8GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link