RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FB 4GB
Comparez
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FB 4GB
Note globale
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Note globale
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FB 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FB 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
22
28
Autour de -27% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.7
12.7
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.4
7.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
8500
Autour de 2.51 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FB 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
28
22
Vitesse de lecture, GB/s
12.7
15.7
Vitesse d'écriture, GB/s
7.5
12.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
8500
21300
Other
Description
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1988
3174
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Comparaison des RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FB 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3200 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Transcend Information TS2GLH64V1B 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston X0N6VG-HYD2 16GB
Kingston 9905403-500.A01LF 8GB
Kingston 9905643-009.A00G 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GIS 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FB 4GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Samsung M471A1K43BB1-CTD 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMK16GX4M2G4000C16 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZR 32GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMK16GX4M2B3733C17 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston 9905678-024.A00G 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSW 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston HX424C15FB/8 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link