RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.M16FAD 8GB
Comparez
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Crucial Technology BLS8G4D240FSC.M16FAD 8GB
Note globale
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Note globale
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.M16FAD 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.M16FAD 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
22
28
Autour de -27% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.8
12.7
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.3
7.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
8500
Autour de 2.26 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.M16FAD 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
28
22
Vitesse de lecture, GB/s
12.7
16.8
Vitesse d'écriture, GB/s
7.5
13.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
8500
19200
Other
Description
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1988
3097
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Comparaison des RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.M16FAD 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS624A.C4FB 4GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Corsair CMK8GX4M2A2800C16 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.M16FAD 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M8FB 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Hewlett-Packard 7EH67AA# 8GB
SK Hynix HMA82GS6AFR8N-UH 16GB
Avant Technology J642GU44J2320ND 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
ISD Technology Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M4FF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M8FB 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.M4FE 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Kingston 9965604-001.D00G 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link