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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Comparez
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Note globale
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Note globale
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
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Raisons de considérer
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
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Raisons de considérer
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
28
Autour de -8% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.9
12.7
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.7
7.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
8500
Autour de 2 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
28
26
Vitesse de lecture, GB/s
12.7
17.9
Vitesse d'écriture, GB/s
7.5
14.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
8500
17000
Other
Description
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1988
3705
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Comparaison des RAM
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Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB Comparaison des RAM
Corsair CMD16GX4M4A2666C15 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GVK 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingmax Semiconductor GLJG42F-D8KBFA------ 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston MSI24D4S7D8MB-16 16GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Corsair CMK64GX4M4B2800C14 16GB
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