RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FD 4GB
Comparez
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FD 4GB
Note globale
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Note globale
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FD 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
59
Autour de 53% latence réduite
Raisons de considérer
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FD 4GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.9
12.7
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.0
7.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
8500
Autour de 2.26 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FD 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
28
59
Vitesse de lecture, GB/s
12.7
17.9
Vitesse d'écriture, GB/s
7.5
9.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
8500
19200
Other
Description
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1988
1968
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Comparaison des RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FD 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FAD 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M2Z3600C18 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Kingston CBD26D4S9D8ME-16 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GTZ 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Corsair CMU32GX4M4C3200C16 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
A-DATA Technology DDR4 3000 2OZ 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GRS 16GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Corsair CMD32GX4M4B3000C15 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-2800C18-8GRS 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Corsair CMR32GX4M2C3200C16 16GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Corsair CMT32GX4M4C3200C14 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link