RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB
Comparez
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB
Note globale
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Note globale
Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
76
Autour de 63% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
7.5
6.4
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
13.6
12.7
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
8500
Autour de 2 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
28
76
Vitesse de lecture, GB/s
12.7
13.6
Vitesse d'écriture, GB/s
7.5
6.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
8500
17000
Other
Description
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1988
1624
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Comparaison des RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GSXK 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Asgard VMA42UH-MEC1U2AJ2 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
SK Hynix HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology BLT8G4D32AET4K.M8FE1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
UMAX Technology D4-2400-4GB-512X8-L 4GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
SK Hynix HMA84GL7AMR4N-TF 32GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Corsair CMSX16GX4M1A2666C18 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor GSAG42F-18---------- 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link