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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBD 16GB
Comparez
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBD 16GB
Note globale
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Note globale
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBD 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
33
Autour de 15% latence réduite
Raisons de considérer
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBD 16GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.9
12.7
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.4
7.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
8500
Autour de 2 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBD 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
28
33
Vitesse de lecture, GB/s
12.7
15.9
Vitesse d'écriture, GB/s
7.5
10.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
8500
17000
Other
Description
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1988
2847
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Kingston KV0M5R-HYD 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Corsair CM4X16GC3000C16K4D 16GB
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Corsair CMW128GX4M8C3200C16 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Crucial Technology BLM16G40C18U4BL.M8FB 16GB
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