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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FN 16GB
Comparez
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FN 16GB
Note globale
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Note globale
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FN 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
38
Autour de 26% latence réduite
Raisons de considérer
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FN 16GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.6
12.7
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.4
7.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
8500
Autour de 2.51 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FN 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
28
38
Vitesse de lecture, GB/s
12.7
16.6
Vitesse d'écriture, GB/s
7.5
13.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
8500
21300
Other
Description
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1988
3092
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Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
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Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
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Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRS 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVK 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
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Kingston KF2666C13D4/8GX 8GB
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