RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FB 4GB
Comparez
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FB 4GB
Note globale
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Note globale
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FB 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
61
Autour de 54% latence réduite
Raisons de considérer
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FB 4GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
18.4
12.7
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.5
7.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
8500
Autour de 2.51 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FB 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
28
61
Vitesse de lecture, GB/s
12.7
18.4
Vitesse d'écriture, GB/s
7.5
8.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
8500
21300
Other
Description
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1988
2025
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Comparaison des RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FB 4GB Comparaison des RAM
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FB 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston 9905701-098.A00G 16GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Corsair CMSX64GX4M2A2933C19 32GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston 9905625-098.A00G 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMK64GX4M8Z2933C16 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Kingston KF3000C16D4/32GX 32GB
Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FBD 16GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Kingston 9905678-110.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWF 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1A1 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FB 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FD 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Micron Technology ILG8GS2400A 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link