RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FE 8GB
Comparez
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FE 8GB
Note globale
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Note globale
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FE 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
42
Autour de 33% latence réduite
Raisons de considérer
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FE 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
14.7
12.7
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.8
7.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
8500
Autour de 2.51 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FE 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
28
42
Vitesse de lecture, GB/s
12.7
14.7
Vitesse d'écriture, GB/s
7.5
10.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
8500
21300
Other
Description
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1988
2476
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Comparaison des RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FE 8GB Comparaison des RAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-4000C16-8GVK 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Corsair CMK32GX4M2Z4000C18 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FE 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FJ 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2400C15Z8GNT 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRG 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRKB 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Corsair CMK16GX4M2Z2933C16 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston HP37D4U1S8ME-8XR 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-16GTZR 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link