RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVK 16GB
Comparez
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs G Skill Intl F4-3600C14-16GVK 16GB
Note globale
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Note globale
G Skill Intl F4-3600C14-16GVK 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3600C14-16GVK 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
24
28
Autour de -17% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
21.7
12.7
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
19.2
7.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
8500
Autour de 2.51 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVK 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
28
24
Vitesse de lecture, GB/s
12.7
21.7
Vitesse d'écriture, GB/s
7.5
19.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
8500
21300
Other
Description
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1988
4349
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Comparaison des RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVK 16GB Comparaison des RAM
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Kingston MSI24D4S7S8MB-8 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVK 16GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FE 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4500C19 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
King Tiger Technology Tigo-2133Mhz-8G 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston KMKYF9-MID 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FJ 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N
Kingston 9905469-124.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GVK 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C16 Series 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Mushkin 99[2/7/4]205[F/T] 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Corsair CMSX32GX4M2A3000C18 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GTZ 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CMK32GX4M2B3000C15 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link