RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVRB 8GB
Comparez
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs G Skill Intl F4-3600C19-8GVRB 8GB
Note globale
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Note globale
G Skill Intl F4-3600C19-8GVRB 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3600C19-8GVRB 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
19
12.7
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
15.6
7.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
8500
Autour de 2 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVRB 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
28
28
Vitesse de lecture, GB/s
12.7
19.0
Vitesse d'écriture, GB/s
7.5
15.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
8500
17000
Other
Description
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1988
3600
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Comparaison des RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVRB 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BWCS 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston HX424C15FB/8 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BBFS 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FBD2 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FADP 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-3000 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Apacer Technology AQD-SD4U4GN24-SG 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston KH2400C15D4/8 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZA 16GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Corsair CM4X8GE2133C13K4 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FB 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMT64GX4M4K3600C18 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRG 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link