RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GVK 4GB
Comparez
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs G Skill Intl F4-3866C18-4GVK 4GB
Note globale
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Note globale
G Skill Intl F4-3866C18-4GVK 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3866C18-4GVK 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
19
28
Autour de -47% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
19.2
12.7
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.5
7.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
8500
Autour de 2 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GVK 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
28
19
Vitesse de lecture, GB/s
12.7
19.2
Vitesse d'écriture, GB/s
7.5
13.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
8500
17000
Other
Description
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1988
3075
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Comparaison des RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GVK 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Essencore Limited IM44GU48N26-FFFHM 4GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
G Skill Intl F4-3800C14-16GTZN 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVRB 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVSB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
SK Hynix GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMK32GX5M2B5600C36 16GB
Corsair CMT32GX5M2B5200C38 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8ET 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6H1 32GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRG 8GB
Corsair CMK32GX5M2B5600C36 16GB
Corsair CMR16GX4M2A2666C16 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BXGSHC 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston 9965604-033.D00G 16GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FJ 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingston ACR32D4S2S8ME-16 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link