RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRSA 16GB
Comparez
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs G Skill Intl F4-4000C16-16GTRSA 16GB
Note globale
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Note globale
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRSA 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRSA 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
22
28
Autour de -27% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.9
12.7
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
16.6
7.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
8500
Autour de 2 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRSA 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
28
22
Vitesse de lecture, GB/s
12.7
17.9
Vitesse d'écriture, GB/s
7.5
16.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
8500
17000
Other
Description
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1988
3926
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Comparaison des RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRSA 16GB Comparaison des RAM
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNT 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CMD16GX4M2B3000C15 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GRS 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRSA 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston 9905713-017.A00G 4GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Kingston KF3600C17D4/8GX 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston 9905663-006.A00G 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRS 32GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston HP32D4U8S8HC-8XR 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Corsair CMK8GX4M2B3200C16 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMD128GX4M8A2400C14 16GB
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FDD 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link