RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZR 16GB
Comparez
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs G Skill Intl F4-4000C16-16GTZR 16GB
Note globale
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Note globale
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZR 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZR 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
24
28
Autour de -17% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
20.3
12.7
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
17.8
7.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
8500
Autour de 2 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZR 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
28
24
Vitesse de lecture, GB/s
12.7
20.3
Vitesse d'écriture, GB/s
7.5
17.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
8500
17000
Other
Description
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1988
4122
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Comparaison des RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZR 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965669-027.A00G 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
Kingston 99U5428-101.A00LF 8GB
Kingston MSI24D4S7D8MB-16 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Samsung M393A2G40DB0-CPB 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4BL.M8FE1 8GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Lenovo 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK8GX4M2A2133C13 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9965604-027.D00G 8GB
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
Corsair CMD32GX4M4A2666C16 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Corsair CMD32GX4M2C3466C16W 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Transcend Information AQD-SD4U4GN21-SG 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link