RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZSW 8GB
Comparez
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs G Skill Intl F4-4000C18-8GTZSW 8GB
Note globale
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Note globale
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZSW 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
30
Autour de 7% latence réduite
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZSW 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.2
12.7
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
17.0
7.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
8500
Autour de 2 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZSW 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
28
30
Vitesse de lecture, GB/s
12.7
17.2
Vitesse d'écriture, GB/s
7.5
17.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
8500
17000
Other
Description
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1988
3773
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Comparaison des RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZSW 8GB Comparaison des RAM
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston 9965600-012.A02G 16GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Kingston KHX3200C20S4/16GX 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3600C18 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
G Skill Intl F4-4400C17-8GVK 8GB
Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
Avant Technology W641GU42J7240NC 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Corsair CMD16GX4M2B3733C17 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FADP 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CMK16GX4M2D2400C14 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FD 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZN 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
SK Hynix HMA82GS6AFRFR-UH 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link