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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
Comparez
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
Note globale
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Note globale
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
Différences
Spécifications
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Différences
Raisons de considérer
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
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Raisons de considérer
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
23
28
Autour de -22% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17
12.7
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.5
7.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
8500
Autour de 2 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
28
23
Vitesse de lecture, GB/s
12.7
17.0
Vitesse d'écriture, GB/s
7.5
12.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
8500
17000
Other
Description
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1988
3098
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Comparaison des RAM
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Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Asgard VMA42UG-MEC1U2AW1 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston 9905743-023.A00G 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BN 8GB
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