Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB

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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB

Différences

  • En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
    23 left arrow 28
    Autour de -22% latence réduite
  • Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
    17.5 left arrow 12.7
    Valeur moyenne dans les tests
  • Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
    14.6 left arrow 7.5
    Valeur moyenne dans les tests
  • Bande passante mémoire plus élevée, mbps
    21300 left arrow 8500
    Autour de 2.51 bande passante supérieure

Spécifications

Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Principales caractéristiques
  • Type de mémoire
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latence dans PassMark, ns
    28 left arrow 23
  • Vitesse de lecture, GB/s
    12.7 left arrow 17.5
  • Vitesse d'écriture, GB/s
    7.5 left arrow 14.6
  • Largeur de bande de la mémoire, mbps
    8500 left arrow 21300
Other
  • Description
    PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • Timings / Vitesse d'horloge
    7-7-7-20 / 1066 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
    1988 left arrow 3260
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Dernières comparaisons