RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
Comparez
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
Note globale
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Note globale
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
23
28
Autour de -22% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.6
12.7
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.4
7.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
8500
Autour de 2.51 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
28
23
Vitesse de lecture, GB/s
12.7
16.6
Vitesse d'écriture, GB/s
7.5
13.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
8500
21300
Other
Description
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1988
3169
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Comparaison des RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Kingston 9905663-006.A00G 16GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Corsair CMK128GX4M8A2133C13 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston KHX3200C16D4/32GX 32GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KII5------ 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3A1 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Corsair CMK16GX4M2C3000C16 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMW128GX4M4D3000C16 32GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FE 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266681 4GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 9965596-029.B00G 4GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Corsair CMK32GX4M4B3600C18 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9965684-005.A00G 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link