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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
Comparez
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
Note globale
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Note globale
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
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Raisons de considérer
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
23
28
Autour de -22% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17
12.7
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.2
7.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
8500
Autour de 2.26 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
28
23
Vitesse de lecture, GB/s
12.7
17.0
Vitesse d'écriture, GB/s
7.5
13.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
8500
19200
Other
Description
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1988
2935
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Comparaison des RAM
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Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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