RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 99U5663-006.A00G 16GB
Comparez
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Kingston 99U5663-006.A00G 16GB
Note globale
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Note globale
Kingston 99U5663-006.A00G 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
34
Autour de 18% latence réduite
Raisons de considérer
Kingston 99U5663-006.A00G 16GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.1
12.7
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.7
7.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
8500
Autour de 2.26 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 99U5663-006.A00G 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
28
34
Vitesse de lecture, GB/s
12.7
15.1
Vitesse d'écriture, GB/s
7.5
12.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
8500
19200
Other
Description
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1988
2994
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Comparaison des RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Kingston 99U5663-006.A00G 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Maxsun MSD48G30M3 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
ISD Technology Limited KD48GU880-32A160X 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FADP 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Corsair CMD64GX4M8A2400C14 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CM4B8G1J2800K14K 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-3600C18A 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Neo Forza NMUD416E82-3600 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston 9905633-017.A00G 8GB
SK Hynix V-GeN D3H8GL1600RN 8GB
Corsair CM4X16GE2400Z16K4 16GB
Corsair CM3B4G2C1600L9 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GIS 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FP 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link